ID articolo: 000055895 Tipo di contenuto: Risoluzione dei problemi Ultima recensione: 26/07/2021

Perché la memoria Intel® Optane™ persistente in modalità memoria non è persistente?

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
Riepilogo

Spiega il comportamento della memoria Intel® Optane™ persistente in modalità memoria.

Descrizione
  1. Perché la memoria non è persistente? È persistente per via delle sue proprietà?
  2. Come funziona la memorizzazione nella cache della DRAM? È tutto fatto in hardware senza il supporto del sistema operativo?
Soluzione

La® persistente Intel® Optane è una tecnologia emergente in cui un supporto non volatile viene inserito in un modulo di memoria dual-in-line (DIMM) e installato sul bus di memoria. Sono disponibili DIMM di memoria persistente insieme ai DIMM di DRAM di memoria volatile tradizionali.

La cosa fondamentale che differenzia i DIMM della memoria persistente dai DIMM della DRAM è che i dati memorizzati su di essi possono essere conservati quando il sistema viene arrestato o perde alimentazione.

Ciò le consente di essere utilizzate come forma di storage permanente come unità disco fisso (HDD) o unità Solid State Drive (SSD), ma con latenze simili a quella della memoria.

Intel® Optane™ Persistent Memory (PMem) si basa sulla tecnologia di memoria Intel® Optane™ e offre la possibilità di mantenere più dati, più vicino alla CPU per un'elaborazione più veloce (ovvero "più calda"). PMem è progettato per l'uso con Intel® Xeon® scalabili della piattaforma (nome in Cascade Lake).

Insieme ai DIMM della DRAM DDR4 sono disponibili dei DCPM per supportare un'architettura di memoria a due livelli. Il livello più veloce è la "memoria vicina" basata sulla DRAM e il livello più lento è la "memoria far" DCPMM. PMem può essere configurato per l'utilizzo in diverse modalità: modalità memoria, modalità App Direct o una combinazione di Modalità memoria e Modalità App Direct, chiamata "modalità mista".

In modalità memoria, i PMem agiscono da memoria di sistema volatile sotto il controllo del sistema operativo. Qualsiasi DRAM nella piattaforma fungerà da cache funzionante insieme ai PMems.

In Modalità App Direct, I DIMM PMem e DRAM agiscono come risorse di memoria indipendenti sotto il controllo diretto di caricamento/archiviazione dell'applicazione. In questo modo la capacità PMem può essere utilizzata come memoria persistente indirizzabile in byte che è mappata nello spazio dell'indirizzo fisico (SPA) del sistema e direttamente accessibile dalle applicazioni.

In modalità mista,una percentuale della capacità PMem viene utilizzata in modalità memoria e la parte restante in Modalità App Direct.

La capacità App Direct Mode può essere utilizzata come Block over App Direct. In questo caso, il driver superfici dell'interfaccia di storage a blocchi tradizionale trasparente per le applicazioni in modo che non siano modificate. Block over App Direct viene implementato con l'ottimizzazione di copia su scrittura tramite una tabella di conversione di blocchi per fornire atomicità di scrittura power-fail.

In caso contrario, le applicazioni possono essere modificate per accedere alla capacità di App Direct con meccanismi di caricamento/archiviazione diretta utilizzando un file system persistente in grado di riconoscere la memoria. Questo ignora completamente il kernel e fornisce il percorso di codice più breve per la memoria persistente. Per ulteriori informazioni sull'utilizzo e la programmazione per la memoria persistente, fare riferimento alla Programmazione di memoria persistente.

Disclaimer

1

Tutti i post e l'utilizzo dei contenuti su questo sito sono soggetti ai Termini di utilizzo Intel.com.

Il contenuto di questa pagina è il risultato della combinazione tra la traduzione umana e quella automatica del contenuto originale in lingua inglese. Questo contenuto è fornito soltanto a titolo di informazione generale e non ha pretese di completezza o accuratezza. In presenza di contraddizioni tra la versione in lingua inglese di questa pagina e la sua traduzione, fa fede la versione inglese. Visualizza la versione in lingua inglese di questa pagina.