Tecnologia Intel® a 22 nm

I primi transistor 3D al mondo pronti per la produzione in volumi elevati.

3D e 22 nm: la combinazione di prestazioni ed efficienza energetica

Nel 2011 Intel è stata la prima del suo settore a introdurre una tecnologia radicalmente diversa per le famiglie di microprocessori: i transistor 3D realizzati a 22 nm.

In precedenza, i transistor - ovvero il nucleo dei microprocessori - erano dispositivi 2D (planari). I transistor tri-gate 3D Intel® e la capacità di produrre in grandi volumi segnano un cambiamento decisivo della struttura fondamentale dei chip per computer. Portare il canale del transistor alla terza dimensione ha consentito un migliore controllo del transistor, massimizzando il flusso corrente (per migliori prestazioni) quando è acceso e minimizzandolo (riducendo la dispersione) quando è spento.

Questi transistor hanno consentito a Intel di poter continuare a offrire la potenza necessaria a prodotti di alto livello, dai velocissimi supercomputer ai dispositivi portatili più piccoli.

I transistor sono fondamentali

Le dimensioni e la struttura dei transistor sono elementi tecnologici fondamentali per offrire i vantaggi della Legge di Moore agli utenti finali. Quanto più piccolo ed energeticamente efficiente è il transistor, tanto meglio. Intel continua a ridurre in modo prevedibile la propria tecnologia di produzione in una serie di anteprime mondiali: 45 nm con gate metallici ad alta costante k (high-k) nel 2007, 32 nm nel 2009 e ora 22 nm con il primo transistor 3D del mondo con processo logico a volumi elevati, a partire dal 2011 e 14 nm con la seconda generazione di transistor tri-gate 3D nel 2014.

I continui progressi nel campo della tecnologia dei transistor consentono a Intel di progettare processori sempre più potenti con una incredibile efficienza energetica. I nuovi processori rendono possibili innovative microarchitetture, design SoC (System on Chip) e nuovi prodotti, da server e PC a smartphone e ad innovativi prodotti consumer.

Scopri come Intel realizza chip a 22 dal silicio

I transistor nella terza dimensione

Il transistor tri-gate 3D Intel utilizza tre gate avvolti intorno al canale di silicio in una struttura 3D, rendendo possibile una combinazione senza precedenti di prestazioni ed efficienza energetica. Intel ha progettato il nuovo transistor tri-gate 3D per offrire esclusivi vantaggi a livello di consumo energetico ultra ridotto in dispositivi palmari, come smartphone e tablet, assicurando inoltre le prestazioni più elevate normalmente previste per i processori di fascia alta.

Ulteriori informazioni sulla tecnologia dei transistor a 22 nm di Intel ›

Processori Intel® Core™ di terza generazione

Introdotti alla fine del 2011, i processori Intel® Core™ di terza generazione sono stati i primi chip prodotti in grandi volumi ad impiegare transistor 3D.