Capacità
256 GB
Stato
Launched
Data di lancio
Q2'19
Condizioni d'uso
PC/Client/Tablet

Specifiche delle prestazioni

Lettura sequenziale (fino a)
1450 MB/s
Scrittura sequenziale (fino a)
650 MB/s
Random Read (8GB Span) (up to)
230000 IOPS (4K Blocks)
Random Write (8GB Span) (up to)
150000 IOPS (4K Blocks)
Stato di alimentazione - attivo
5.3W
Stato di alimentazione - inattivo
L1.2 : <12mW

Affidabilità

Vibrazione - operativo
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
Vibrazione - non operativo
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
Shock (operativo e non operativo)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
Intervallo di temperatura di esercizio
0°C to 70°C
Temperatura di esercizio (massima)
70 °C
Temperatura di esercizio (minima)
0 °C
Valutazione durata (scritture totali)
75TBW
Mean Time Between Failures (MTBF)
1.6 Million Hours
Uncorrectable Bit Error Rate (UBER)
< 1 sector per 10^15 bits read
Periodo di garanzia
5 yrs

Informazioni supplementari

Descrizione dei prodotti
URL informazioni aggiuntive
Descrizione
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

Specifiche del package

Peso
Less than 10 grams
Formato
M.2 22 x 80mm
Interfaccia
PCIe 3.0 x4, NVMe

Tecnologie avanzate

Protezione ottimizzata dei dati in caso di perdita di corrente
Monitoraggio e registrazione temperatura
End-to-End Data Protection
Intel® Rapid Start Technology