Intel accelera le innovazioni dei processi produttivi e del packaging

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HIghlights

• Roadmap delle innovazioni dei processi produttivi e del packaging per la prossima serie di lanci di prodotto da qui al 2025 e oltre
• Due rivoluzionarie tecnologie di processo: RibbonFET, la prima nuova architettura di transistor presentata da Intel in oltre 10 anni, e PowerVia, la prima soluzione del settore di alimentazione sul retro.
• Consolidamento della leadership nelle soluzioni di packaging 3D avanzato con Foveros Omni e Foveros Direct
• Una nuova nomenclatura dei processi produttivi per creare un contesto omogeneo e una visuale più accurata dei nodi di processo per i clienti e il settore, ora che Intel entra nell’era dei semiconduttori misurati in ansgtrom
• Forte crescita di Intel Foundry Services (IFS) con i primi annunci di clienti

Evento del 26 luglio

SANTA CLARA (Stati Uniti), 26 luglio 2021 – Intel Corporation ha presentato oggi una delle sue più dettagliate roadmap di processo e di tecnologie di packaging di sempre, mostrando una serie di radicali innovazioni che saranno alla base dei prodotti dell’azienda da qui al 2025 e oltre. È stata annunciata RibbonFET, la prima nuova architettura di transistor in oltre 10 anni, e PowerVia, la prima soluzione di alimentazione attraverso il backside nel settore, e l’azienda ha evidenziato la rapida adozione della litografia extreme ultraviolet (EUV) di nuova generazione, chiamata High Numerical Aperture (High NA) EUV. Intel sta per ricevere il primo strumento di produzione High NA EUV del settore.

Il settore tecnologico ha da tempo riconosciuto che la tradizionale nomenclatura dei nodi di processo basata sui nanometri ha smesso di corrispondere alle effettive misure di lunghezza dei gate nel 1997. Oggi Intel presenta una nuova nomenclatura per i nodi di processo creando un quadro chiaro e omogeneo che offra ai clienti una visione più precisa dei nodi di processo esistenti nel settore. Questa chiarezza è più importante che mai con il lancio di Intel Foundry Services. “Le innovazioni che abbiamo mostrato oggi non abiliteranno solo la roadmap di prodotto di Intel, ma saranno anche importanti per i clienti delle nostre foundry”, prosegue Gelsinger. “L’interesse verso IFS è forte e sono entusiasta di poter annunciare oggi i primi due clienti di primaria importanza. IFS sta partendo alla grande!”.

I tecnici di Intel hanno descritto la seguente roadmap con la nuova nomenclatura dei nodi e le innovazioni alla base di ciascuno di essi.

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Diapositive di presentazione: Presentazione Intel Accelerated 2021

Tabella di marcia per l'innovazione

Intel ha rivelato una delle roadmap più dettagliate per la tecnologia di processo e packaging che l'azienda abbia fornito, mostrando le innovazioni fondamentali che alimenteranno i prodotti fino al 2025 e oltre.

• Scheda informativa: Accelerare l'innovazione dei processi

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Tecnologie di processo rivoluzionarie

Oltre ad annunciare RibbonFET, la sua prima nuova architettura a transistor in oltre un decennio, e PowerVia, un nuovo metodo di erogazione di potenza backside per la prima volta nel settore, Intel ha evidenziato la sua rapida adozione pianificata della litografia ultravioletta estrema (EUV) di prossima generazione, denominata High Numerical Aperture EUV. Intel è posizionata per ricevere il primo strumento di produzione High NA EUV del settore.

RibbonFET è l'implementazione di Intel di un transistor gate-all-around. La tecnologia offre velocità di commutazione dei transistor più elevate, ottenendo al contempo la stessa corrente di azionamento di più alette in un ingombro ridotto.

PowerVia è l'esclusiva implementazione di Intel nel settore dell'erogazione di potenza backside, che ottimizza la trasmissione del segnale eliminando la necessità di routing dell'alimentazione sul lato anteriore del wafer.

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Denominazione dei nodi di processo

Intel ha introdotto una nuova struttura di denominazione per i suoi nodi di processo, creando un framework chiaro e coerente per offrire ai clienti una visione più accurata dei nodi di processo in tutto il settore. I tecnologi Intel hanno descritto la seguente roadmap:

Intel 7 sarà presente in prodotti come Alder Lake per il cliente nel 2021 e Sapphire Rapids per il data center, che dovrebbe essere in produzione nel primo trimestre del 2022.

Intel 4 sarà pronto per la produzione nella seconda metà del 2022 per i prodotti in spedizione nel 2023, tra cui Meteor Lake per il cliente e Granite Rapids per il data center.

Intel 3 sarà pronta per iniziare a produrre prodotti nella seconda metà del 2023.

Intel 20A inaugura l'era angstrom con RibbonFET e PowerVia. Si prevede che aumenterà nel 2024.

2025 e oltre: Oltre a Intel 20A, Intel 18A è già in fase di sviluppo per l'inizio del 2025 con perfezionamenti a RibbonFET che offriranno un altro importante salto nelle prestazioni dei transistor.

Innovazioni nel packaging 3D

Con la nuova strategia IDM 2.0 di Intel, il packaging è importante per realizzare i vantaggi della Legge di Moore. Intel ha fornito i seguenti approfondimenti sulla roadmap di packaging avanzato leader del settore dell'azienda:

EMIB (embedded multi-die interconnect bridge) continua a guidare il settore come la prima soluzione di bridge embedded 2.5D. Sapphire Rapids sarà il primo prodotto intel® Xeon® data center a essere spedito in volume con EMIB. Oltre a Sapphire Rapids, la prossima generazione di EMIB passerà da un bump pitch di 55 micron a 45 micron.

Foveros sfrutta le capacità di confezionamento a livello di wafer per fornire una soluzione di impilamento 3D unica nel suo genere. Meteor Lake sarà l'implementazione di seconda generazione di Foveros in un prodotto cliente e presenta un bump pitch di 36 micron, piastrelle che coprono più nodi tecnologici e un intervallo di potenza di progettazione termica da 5 a 125 W.

Foveros Omni inaugura la prossima generazione della tecnologia Foveros fornendo una flessibilità illimitata con la tecnologia di stacking 3D per l'interconnessione die-to-die e progetti modulari. Foveros Omni consente la disaggregazione degli stampi, mescolando più tessere di stampi superiori con più tessere di base su nodi fab misti. Si prevede che sarà pronto per la produzione in volume nel 2023.

Foveros Direct passa all'incollaggio diretto rame-rame per interconnessioni a bassa resistenza. Foveros Direct consente di aumentare i bump pitch al di sotto dei 10 micron, fornendo un aumento di un ordine di grandezza della densità di interconnessione per l'impilamento 3D, aprendo nuovi concetti per il partizionamento funzionale degli stampi. Foveros Direct è complementare a Foveros Omni e dovrebbe anche essere pronto nel 2023.

Più contesto

Scarica il video: "EMIB, Foveros Packaging presso Intel (B-Roll)"

Avvisi e dichiarazioni di non responsabilità

Tutti i piani di prodotti e servizi, le roadmap e le cifre delle prestazioni sono soggetti a modifiche senza preavviso. La parità delle prestazioni di processo e le aspettative di leadership si basano su proiezioni di prestazioni per watt. Le prestazioni future dei nodi e altre metriche, tra cui potenza e densità, sono proiezioni e sono intrinsecamente incerte.

La presente pagina Web e i materiali a cui si collega contengono dichiarazioni previsionali relative ai piani e alle aspettative future di Intel, anche in relazione alle roadmap e alle pianificazioni delle tecnologie di processo e di creazione di pacchetti di Intel; cadenza innovazione; tecnologia e prodotti futuri e i benefici attesi e la disponibilità di tali tecnologie e prodotti, tra cui le tecnologie PowerVia, RibbonFET, Foveros Omni e Foveros Direct, i nodi di processo futuri e altre tecnologie e prodotti; parità tecnologica e leadership; uso futuro, vantaggi e disponibilità di EUV e altri strumenti di produzione; aspettative riguardanti fornitori, partner e clienti; Strategia di Intel; piani di produzione; espansione della produzione e piani di investimento; e piani e obiettivi relativi all'attività di fonderia di Intel. Tali dichiarazioni comportano una serie di rischi e incertezze. Parole come "anticipa", "si aspetta", "intende", "obiettivi", "piani", "ritiene", "cerca", "stima", "continua", "può", "sarà", "vorrebbe", "dovrebbe", "potrebbe", "strategia", "progresso", "accelerare", "percorso", "in pista", "roadmap", "pipeline", "cadenza", "momentum", "posizionato", "impegnato" e "consegna" e variazioni di tali parole ed espressioni simili hanno lo scopo di identificare dichiarazioni previsionali. Le dichiarazioni che si riferiscono o si basano su stime, previsioni, proiezioni ed eventi o ipotesi incerti identificano anche dichiarazioni previsionali. Tali dichiarazioni si basano sulle attuali aspettative del management e comportano molti rischi e incertezze che potrebbero far sì che i risultati effettivi differiscano materialmente da quelli espressi o impliciti in queste dichiarazioni previsionali. Fattori importanti che potrebbero far sì che i risultati effettivi differiscano materialmente dalle aspettative dell'azienda includono, tra gli altri, l'incapacità di Intel di realizzare i benefici previsti della sua strategia e dei suoi piani; cambiamenti nei piani dovuti a fattori commerciali, economici o di altro tipo; azioni intraprese dai concorrenti, comprese le modifiche alle tabelle di marcia tecnologiche della concorrenza; cambiamenti che influiscono sulle nostre proiezioni riguardanti la nostra tecnologia o la tecnologia concorrente; ritardi nello sviluppo o nell'implementazione delle nostre future tecnologie di produzione o incapacità di realizzare i benefici previsti di tali tecnologie, compresi i miglioramenti attesi nelle prestazioni e altri fattori; ritardi o cambiamenti nella progettazione o nell'introduzione di prodotti futuri; cambiamenti nelle esigenze o nei piani dei clienti; cambiamenti nelle tendenze tecnologiche; la nostra capacità di rispondere rapidamente agli sviluppi tecnologici; ritardi, modifiche ai piani o altre interruzioni che coinvolgono strumenti di produzione e altri fornitori; e altri fattori indicati nei rapporti di Intel depositati o forniti presso la Securities and Exchange Commission (SEC), inclusi i rapporti più recenti di Intel sui moduli 10-K e 10-Q, disponibili sul sito Web delle relazioni con gli investitori di Intel all'indirizzo www.intc.com e sul sito Web della SEC all'www.sec.gov. Intel non si impegna, e declina espressamente qualsiasi obbligo, ad aggiornare qualsiasi dichiarazione fatta in questa pagina Web e nei materiali collegati, sia a seguito di nuove informazioni, nuovi sviluppi o altro, tranne nella misura in cui la divulgazione possa essere richiesta dalla legge.