Intel accelera le innovazioni dei processi produttivi e del packaging

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HIGHLIGHTS

• Roadmap delle innovazioni dei processi produttivi e del packaging per la prossima serie di lanci di prodotto da qui al 2025 e oltre
• Due rivoluzionarie tecnologie di processo: RibbonFET, la prima nuova architettura di transistor presentata da Intel in oltre 10 anni, e PowerVia, la prima soluzione del settore di alimentazione sul retro.
• Consolidamento della leadership nelle soluzioni di packaging 3D avanzato con Foveros Omni e Foveros Direct
• Una nuova nomenclatura dei processi produttivi per creare un contesto omogeneo e una visuale più accurata dei nodi di processo per i clienti e il settore, ora che Intel entra nell’era dei semiconduttori misurati in ansgtrom
• Forte crescita di Intel Foundry Services (IFS) con i primi annunci di clienti

SANTA CLARA (Stati Uniti), 26 luglio 2021 – Intel Corporation ha presentato oggi una delle sue più dettagliate roadmap di processo e di tecnologie di packaging di sempre, mostrando una serie di radicali innovazioni che saranno alla base dei prodotti dell’azienda da qui al 2025 e oltre. È stata annunciata RibbonFET, la prima nuova architettura di transistor in oltre 10 anni, e PowerVia, la prima soluzione di alimentazione attraverso il backside nel settore, e l’azienda ha evidenziato la rapida adozione della litografia extreme ultraviolet (EUV) di nuova generazione, chiamata High Numerical Aperture (High NA) EUV. Intel sta per ricevere il primo strumento di produzione High NA EUV del settore.

Il settore tecnologico ha da tempo riconosciuto che la tradizionale nomenclatura dei nodi di processo basata sui nanometri ha smesso di corrispondere alle effettive misure di lunghezza dei gate nel 1997. Oggi Intel presenta una nuova nomenclatura per i nodi di processo creando un quadro chiaro e omogeneo che offra ai clienti una visione più precisa dei nodi di processo esistenti nel settore. Questa chiarezza è più importante che mai con il lancio di Intel Foundry Services. “Le innovazioni che abbiamo mostrato oggi non abiliteranno solo la roadmap di prodotto di Intel, ma saranno anche importanti per i clienti delle nostre foundry”, prosegue Gelsinger. “L’interesse verso IFS è forte e sono entusiasta di poter annunciare oggi i primi due clienti di primaria importanza. IFS sta partendo alla grande!”.

I tecnici di Intel hanno descritto la seguente roadmap con la nuova nomenclatura dei nodi e le innovazioni alla base di ciascuno di essi.

• Intel 7 offre un aumento di prestazioni per watt compreso tra il 10% e il 15% circa rispetto a Intel SuperFin a 10 nm, in base alle ottimizzazioni dei transistor FinFET. Intel 7 sarà presente in prodotti quali Alder Lake per client nel 2021 e Sapphire Rapids per data center, per cui è previsto l’inizio della produzione nel primo trimestre del 2022.
• Intel 4 abbraccia appieno la litografia EUV per stampare elementi di dimensioni incredibilmente ridotte utilizzando luce a lunghezza d’onda ultracorta. Con un aumento delle prestazioni per Watt di circa il 20% insieme a miglioramenti nella superficie, Intel 4 sarà pronto per la produzione nella seconda metà del 2022 con i prodotti previsti in arrivo sul mercato nel 2023, tra cui Meteor Lake per client e Granite Rapids per data center.
• Intel 3 sfrutta ulteriori ottimizzazioni di FinFET e un aumento dell’EUV per fornire un aumento di circa il 18% nelle prestazioni per watt rispetto a Intel 4, oltre a ulteriori miglioramenti nella superficie. Intel 3 sarà pronto per per entrare in produzione nella seconda metà del 2023.
• Intel 20A inaugura l’era dell’angstrom con due tecnologie innovative, RibbonFET e PowerVia. RibbonFET, l’implementazione di Intel di un transistor con gate su tutti i lati, sarà la prima nuova architettura di transistor dell’azienda da quando ha introdotto FinFET nel 2011. Questa tecnologia offre velocità di commutazione dei transistor più elevate a parità di corrente di azionamento rispetto a chip con molteplici alette, ma con un ingombro più ridotto. PowerVia è l’esclusiva implementazione di Intel di alimentazione dal retro, che ottimizza la trasmissione del segnale eliminando la necessità far passare l’alimentazione al lato anteriore del wafer. Si prevede che la produzione di Intel 20A inizi nel 2024. Intel è inoltre entusiasta dell’opportunità di collaborare con Qualcomm con la propria tecnologia di processo Intel 20A.
• 2025 e oltre: oltre a Intel 20A, Intel 18A è già in fase di sviluppo per l’inizio del 2025 con perfezionamenti a RibbonFET che offriranno un ulteriore importante salto nelle prestazioni dei transistor. Intel sta inoltre lavorando per definire, costruire e distribuire High NA EUV di nuova generazione e prevede di ricevere il primo strumento di produzione nel settore. Intel sta collaborando strettamente con ASML per assicurare il successo di questa svolta per il settore che supera l’attuale generazione di EUV.

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Con la nuova strategia IDM 2.0 di Intel, il packaging sta diventando ancora più importante per realizzare i vantaggi della legge di Moore. Intel ha annunciato che AWS sarà il primo cliente a utilizzare le soluzioni di packaging IFS, fornendo al contempo le seguenti informazioni sulla roadmap di packaging avanzata leader del settore:

• EMIB continua a guidare il settore come la prima soluzione bridge embedded 2.5D, con spedizione di prodotti dal 2017. Sapphire Rapids sarà il primo prodotto Intel® Xeon® data center a spedire in volume con EMIB (bridge di interconnessione multi-die embedded). Sarà anche il primo dispositivo a due reticoli nel settore, offrendo quasi le stesse prestazioni di un design monolitico. Oltre Sapphire Rapids, la prossima generazione di EMIB passerà da un bump pitch da 55 micron a 45 micron.
• Foveros sfrutta le funzionalità di imballaggio a livello di wafer per fornire una soluzione di stacking 3D del suo genere. Meteor Lake sarà l'implementazione di seconda generazione di Foveros in un prodotto client e presenta un passo di urto di 36 micron, piastrelle che abbracciano più nodi tecnologici e una gamma di potenza di progettazione termica da 5 a 125 W.
• Foveros Omni inaugura la nuova generazione di tecnologia Foveros offrendo una flessibilità illimitata con la tecnologia di stacking 3D delle prestazioni per l'interconnessione di die-to-die e i design modulari. Foveros Omni consente la disaggregazione dei die, mescolando più tessere top die con più tessere di base su nodi misti e dovrebbe essere pronta per la produzione di volumi nel 2023.
• Foveros Direct si sposta verso l'incollaggio diretto da rame a rame per interconnessioni a bassa resistenza e sfoca il confine tra dove termina il wafer e dove inizia il pacchetto. Foveros Direct consente pitch di urto sotto i 10 micron, fornendo un aumento dell'ordine di grandezza della densità di interconnessione per lo stacking 3D, aprendo nuovi concetti per il partizionamento funzionale dei die che in precedenza erano irraggiungibili. Foveros Direct è complementare a Foveros Omni e dovrebbe essere pronta anche nel 2023.

I progressi discussi oggi sono stati sviluppati principalmente negli stabilimenti di Intel in Oregon e In Arizona, consolidando il ruolo dell'azienda come unico attore all'avanguardia sia nella ricerca che nello sviluppo e nella produzione negli Stati Uniti. Inoltre, le innovazioni si basano su una stretta collaborazione con un ecosistema di partner sia negli Stati Uniti che in Europa. Le partnership profonde sono fondamentali per portare innovazioni fondamentali dal laboratorio alla produzione ad alto volume e Intel si impegna a collaborare con i governi per rafforzare le catene di fornitura e promuovere la sicurezza economica e nazionale.

L'azienda ha chiuso il webcast confermando ulteriori dettagli sull'evento Intel InnovatiON. Intel InnovatiON si terrà a San Francisco e online dal 27 al 28 ottobre 2021. Ulteriori informazioni sono disponibili sul sito web Intel ON.

Per ulteriori informazioni sulla roadmap del processo e sulla denominazione dei nodi di Intel, visitare il factsheet del processo. Per guardare un replay del webcast di oggi, visitare la sala stampa Intel o il sito Web delle relazioni con gli investitoridi Intel.

Dichiarazioni previsionali

Questo comunicato stampa contiene dichiarazioni previsionali relative ai piani e alle aspettative future di Intel, anche per quanto riguarda le roadmap e i programmi della tecnologia di processo e di imballaggio di Intel; cadenza dell'innovazione; tecnologia e prodotti futuri e i vantaggi e la disponibilità previsti di tali tecnologie e prodotti, tra cui PowerVia, RibbonFET, Foveros Omni e tecnologie Foveros Direct, nodi di processo futuri e altre tecnologie e prodotti; parità tecnologica e leadership; utilizzo futuro, vantaggi e disponibilità di EUV e di altri strumenti di produzione; aspettative relative a fornitori, partner e clienti; la strategia di Intel; piani di produzione; piani di espansione e di investimento della produzione; e i piani e gli obiettivi relativi all'attività di fonderia di Intel. Tali dichiarazioni comportano una serie di rischi e incertezze. Parole come "anticipa", "si aspetta", "intende", "obiettivi", "piani", "crede", "cerca", "stima", "continua", "può", "sarà", "dovrebbe", "potrebbe", "potrebbe", "strategia", "potrebbe" progressi", "accelerate", "path", "on-track", "roadmap", "pipeline", "cadence", "momentum", "positioned", "committed" e "deliver" e variazioni di tali parole ed espressioni simili hanno lo scopo di identificare dichiarazioni previsionali. Le dichiarazioni che si riferiscono o si basano su stime, previsioni, proiezioni ed eventi o ipotesi incerti identificano anche dichiarazioni previsionali. Tali dichiarazioni si basano sulle attuali aspettative del management e comportano molti rischi e incertezze che potrebbero causare risultati effettivi sostanzialmente diversi da quelli espressi o impliciti in queste dichiarazioni previsionali. I fattori importanti che potrebbero far sì che i risultati effettivi differiscano materialmente dalle aspettative dell'azienda includono, tra gli altri, l'incapacità di Intel di realizzare i vantaggi previsti della sua strategia e dei suoi piani; cambiamenti nei piani dovuti a fattori aziendali, economici o di altro natura; azioni intraprese dai concorrenti, tra cui cambiamenti nelle roadmap tecnologiche dei concorrenti; cambiamenti che incidono sulle nostre proiezioni relative alla nostra tecnologia o alla tecnologia concorrente; ritardi nello sviluppo o nell'implementazione delle nostre future tecnologie di produzione o guasti nella realizzazione dei vantaggi previsti di tali tecnologie, tra cui miglioramenti attesi nelle prestazioni e altri fattori; ritardi o modifiche nella progettazione o nell'introduzione di prodotti futuri; cambiamenti nelle esigenze o nei piani dei clienti; cambiamenti nelle tendenze tecnologiche; la nostra capacità di rispondere rapidamente agli sviluppi tecnologici; ritardi, cambiamenti nei piani o altre interruzioni che coinvolgono strumenti di produzione e altri fornitori; e altri fattori indicati nei report di Intel depositati o forniti alla Securities and Exchange Commission (SEC), tra cui i report più recenti di Intel sul modulo 10-K e sul modulo 10-Q, disponibili sul sito Web delle relazioni con gli investitori di Intel all'www.intc.com e sul sito Web della SEC all'www.sec.gov. Intel non si impegna e declina espressamente qualsiasi obbligo di aggiornare qualsiasi dichiarazione resa nel presente comunicato stampa, sia a seguito di nuove informazioni, nuovi sviluppi o altro, salvo nella misura in cui la divulgazione possa essere richiesta dalla legge.

Tutti i piani di prodotti e servizi, le roadmap e i dati relativi alle prestazioni sono soggetti a modifiche senza preavviso. La parità delle prestazioni dei processi e le aspettative di leadership si basano su proiezioni prestazioni per watt. Le prestazioni dei nodi futuri e altre metriche, tra cui potenza e densità, sono proiezioni e sono intrinsecamente incerte.