Trasformare l’economia dello storage

La tecnologia NAND 3D Intel® estende la nostra leadership nel settore della memoria flash con un'architettura progettata per una maggiore capacità e prestazioni ottimali, un processo produttivo comprovato che offre transizioni accelerate e scalabilità e la rapida espansione del portafoglio di prodotti in molteplici segmenti di mercato.

Capacità di storage potenziata dall’innovazione Intel

Intel ha introdotto le prime unità SSD PCIe* al mondo con tecnologia QLC La tecnologia NAND 3D Intel® QLC fornisce capacità fino al 33% superiori1 rispetto al suo predecessore NAND 3D. È dotata inoltre di un’esclusiva accelerazione PCIe*, per fornire un mix affidabile di prestazioni e capacità che la rende una soluzione di storage intelligente e di valore per i mercati dei data center e dei client.

La tecnologia Intel® QLC sfrutta la NAND 3D attuale con una comprovata struttura a 64 livelli e aggiunge una nuova cella che fornisce 4 bit per cella (QLC), rendendola la memoria flash con la densità più elevata al mondo. Inoltre questa tecnologa utilizza una cella floating gate perché si tratta di un metodo di storage affidabile e a basso costo. Infine, la tecnologia Intel® QLC è stata abbinata alla tecnologia PCIe*-(NVMe*) per fornire un vantaggio prestazionale fino a 4 volte superiore rispetto alle interfacce SATA.2

Preparatevi per il futuro con Intel QLC, basata sull’affidabile tecnologia Intel® e supportata dalla leadership produttiva di Intel.

Finalmente le prestazioni SSD soddisfano il valore aziendale

Per i data center, la tecnologia NAND 3D Intel® QLC riduce radicalmente l’ingombro dei sistemi HDD.3 Un numero minore di sistemi per mantenere i vantaggi in termini di risparmio energetico e risparmiare sui costi di raffreddamento4, riducendo al contempo i costi operativi e di capitale associati alle sostituzioni delle unità.5 E se gli ingombri si riducono, le prestazioni aumentano.6 L’accelerazione PCIe* supera i colli di bottiglia SATA7, liberando la piena potenza QLC. Se abbinati alla tecnologia Intel® Optane™ opzionale, i prodotti per data center con tecnologia NAND 3D Intel® offrono prestazioni ancora migliori2, accelerando l’accesso ai dati che servono di più.

Incrementate la produttività, archiviate più dati e risparmiate più denaro con la tecnologia Intel® QLC presente nelle unità SSD Intel® serie D5-P4320 e D5-P4326, offerte attualmente in quantità limitata e con più ampia disponibilità nell’inverno 2018.

Le prestazioni straordinarie sono ora accessibili

La tecnologia NAND 3D Intel® QLC consente ai consumatori di affrontare le sfide legate allo storage di oggi e prepararsi per la domanda crescente del futuro. Queste unità SSD client racchiudono una quantità maggiore di dati rispetto allo storage basato su TLC, consentendo capacità fino a 2 volte superiori con lo stesso ingombro.1 Solo Intel ha accoppiato questa tecnologia rivoluzionaria con PCIe* per offrire prestazioni PCIe accessibili.

Acquistate unità SSD NAND 3D Intel® QLC

Progettata per capacità e affidabilità

La tecnologia NAND 3D Intel® costituisce la risposta innovativa alla crescente domanda del settore di capacità di storage dei dati. Rispetto ad altre soluzioni NAND disponibili, la tecnologia NAND 3D Intel® è basata su architettura floating gate con dimensioni più piccole delle celle e un array di memoria altamente efficiente, che consente soluzioni con capacità superiore e alta affidabilità con protezione robusta da perdita di carica.

Scoprite in che modo la tecnologia NAND 3D fa progredire lo storage

La tecnologia NAND 3D Intel® accelera la Legge di Moore portandola in tre dimensioni, superando le limitazioni di capacità della tecnologia NAND 2D tradizionale. La stratificazione verticale della tecnologia NAND 3D consente già oggi una maggiore densità di superficie, con scalabilità per il futuro.

Leadership nell'innovazione

Innovazione a 64 strati

Intel ha sfruttato 30 anni di esperienza nelle celle flash per la transizione della tecnologia NAND da 2D a 3D, da Multi-Level Cell (MLC) a Tri-Level Cell (TLC) e da 32 strati alla rivoluzionaria tecnologia a 64 strati. Tutto questo al fine di offrire la maggiore densità di superficie8 e far crescere rapidamente le capacità di storage delle soluzioni NAND 3D.

Ampio portafoglio di prodotti

Realizzata con un processo comprovato

Con la tecnologia NAND 3D, Intel offre capacità innovative e ad alto valore con un ampio portafoglio di prodotti. La nostra esperienza nella progettazione di questa architettura in soluzioni SSD ci consente di migliorare rapidamente le prestazioni, il consumo di energia, l’omogeneità delle prestazioni e l’affidabilità con ogni generazione.

Scalabilità produttiva

Consentire opportunità dirompenti

Per la tecnologia NAND 3D, Intel impiega processi produttivi comprovati da decenni di produzione in alti volumi. Con un forte sinergia generazionale nella nostra rete di impianti produttivi, Intel prevede di far crescere la capacità NAND 3D più rapidamente del mercato, permettendoci di offrire alla nostra base clienti costi complessivi di gestione rivoluzionari e accelerazione delle applicazioni.

Informazioni su prodotti e prestazioni

1

Una cella TLC (Tri-Level Cell) contiene 3 bit per cella e una cella QLC (Quad Level Cell) contiene 4 bit per cella. Calcolato come (4-3)/3 = 33% di bit in più per cella.

 

2

Cluster vSAN a 4 nodi – configurazione del sistema a 1 nodo: Modello server: Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS); Scheda madre: H48104-850; CPU: due processori Gold Intel® Xeon® 6142 a 2,6 GHz, 16C/32T, 10,4 GT/s, 22 MB di cache, Turbo, HT (150 W) DDR4-2666; Memoria: 16 GB RDIMM, 2666 MT/s, Dual Rank x16; Schede di rete: Intel X520-DA2 10 GbE SFP+ DAC e LAN Intel X722 10GbE integrata. Tutte le configurazioni TLC: 2 SSD Intel® Data Center serie P4610 da 1,6 TB per il caching e 4 SSD Intel® Data Center serie P4510 da 4 TB per capacità di storage; Configurazione memoria Intel® Optane™ + QLC: 2 SSD Intel® Optane™ DC P4800X da 375 GB per il caching e 2 SSD Intel® D5-P4320 da 7,68 TB per capacità di storage. 2 Carico di lavoro: HCIBench: https://labs.vmware.com/flings/hcibench. Numero di VM: 16, Numero di dischi di dati: 8, Dimensione dei dischi di dati: 60 Numero di dischi da testare: 8, Percentuale del set funzionante: 100, Numero di thread per disco: 4, Dimensione dei blocchi: 4K, Percentuale di lettura: 70, Percentuale casuale: 50, Tempo di testing: 3600. Risultati: configurazione P4610+P4510 = 83.451 IOPS con latenza di 6,3 ms. Configurazione P4800x+P43220 = 346.644 IOPS con latenza di 1,52 ms. 

 

3

Confrontando HDD WD Gold TB di classe enterprise da 4 TB 3,5” 7200 RPM che consente fino a 24 HDD per 2U e un totale di 20U e 960 TB con un SSD Intel® D5-P4326 30.72TB E1.L (disponibile in una data futura) che consente fino a 32 SSD per 1U e un totale di 1U e 963 TB. Quindi 20 unità rack con 1 unità rack.

 

4

Risparmio sui costi di energia, raffreddamento e consolidamento. Basato su HDD: HDD da 4 TB 7200 RPM, AFR (tasso di guasto annuale) del 2% e potenza attiva di 7,7 W, 24 unità in 2U (potenza totale 1971 W) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: 22 W di potenza attiva AFR del 44%, 32 unità in 1U (potenza totale di 704 W); Costi di raffreddamento basati su un periodo di implementazione di 5 anni con costo per kWh di 0158 $ e numero di watt per il raffreddamento di 1 watt di 1,20 Basato 24 unità HDD 2U da 3,5” e 32 unità EDSFF da 1U. Storage ibrido basato sull’uso di SSD TLC Intel® per la cache.

 

5

Risparmio sui costi derivante dalla sostituzione di unità Calcolo: AFR (tasso di guasto annuale) del 2% per HDD x 256 unità x 5 anni = 25,6 sostituzioni in 5 anni; SSD: AFR dello 0,44% x 32 unità x 5 anni = 0,7 sostituzioni in 5 anni.

 

6

Confronta IOPS di lettura casuale 4K con profondità di coda 32 tra SSD Intel D5-P4320 e HDD Toshiba N300. 175.000 IOPS: dati misurati con SSD Intel D5-P4320 da 7,68 TB. IOPS di lettura casuale 4K; profondità di coda 32. 532 IOPS: in base ai benchmark di Tom’s Hardware per l’HDD Toshiba N300 da 8 TB 7200 RPM. IOPS di lettura casuale 4K; profondità di coda 32: https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html. Quindi le IOPS di lettura casuale 4K sono 329 volte migliori.

 

7

IOPS PCIe* basate su letture casuali di 4K simulate, profondità di coda di 256, prestazioni stimate da Intel per SSD QLC PCIe* Intel D5-P4320/D5-P4326 di diverse capacità: 3,84 TB; 7,68 TB; 15,36 TB e 30,72 TB. IOPS SATA impostate a 100.000 IOPS per tutti i punti di capacità considerando 100.000 IOPS il massimo possibile per gli attuali SSD SATA Micron della concorrenza. Il data sheet degli SSD Flash NAND Micron serie 5200 mostra una lettura massima casuale di 4K di IOPS con profondità di coda 32 pari a 95.000 IOPs per 3,84 TB e SKU da 7,68 TB. Data sheet disponibile qui: https://www.micron.com/parts/solid-state-storage/ssd/mtfddak7t6tdc-1at16ab?pc={1E253C11-6399-4D14-A445-F1DE2EB7ECAC}

 

8

Confrontando la densità di area con dati misurati da Intel con NAND 3D Intel® da 512 GB con prodotti rappresentativi della concorrenza basati sui documenti della IEEE International Solid-State Circuits Conference del 2017 che cita le dimensioni dei die Samsung Electronics e Western Digital/Toshiba per componenti NAND 3D a 64 strati.