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Tecnologia Intel® a 22 nm

Introduzione dei primi transistor 3D al mondo pronti per la produzione in volumi elevati

3D, 22 nm: una nuova tecnologia offre una combinazione senza precedenti di prestazioni ed efficienza energetica

Intel ha sviluppato una tecnologia sostanzialmente diversa per le future famiglie di microprocessori: i transistor 3D a 22 nm. Questi nuovi transistor consentono a Intel di continuare a perseguire costantemente la Legge di Moore e ad assicurare che il ritmo del progresso tecnologico possa proseguire anche in futuro, secondo le aspettative dei clienti.

In precedenza, i transistor - ovvero il nucleo dei microprocessori - erano dispositivi 2D (planari). I transistor tri-gate 3D Intel® e la capacità di produrre in grandi volumi segnano un cambiamento decisivo della struttura fondamentale dei chip per computer. Ulteriori informazioni sulla storia dei transistor.

Questo significa anche che Intel può continuare ad offrire la potenza necessaria per tutti i tipi di prodotti, dai supercomputer più veloci del mondo ai dispositivi portatili più piccoli.

Più piccolo è meglio

Le dimensioni e la struttura dei transistor sono fondamentali per offrire i vantaggi della Legge di Moore agli utenti finali. Quanto più piccolo ed energeticamente efficiente è il transistor, tanto meglio. Intel continua a ridurre in modo prevedibile la propria tecnologia di produzione in una serie di anteprime mondiali: 45 nm con gate metallici ad alta costante k (high-k) nel 2007, 32 nm nel 2009 e ora 22 nm con il primo transistor 3D del mondo con processo logico a volumi elevati, a partire dal 2011.

Con un transistor 3D più piccolo, Intel può anche progettare processori sempre più potenti con una incredibile efficienza energetica. La nuova tecnologia rende possibili innovative microarchitetture, design SoC (System on Chip) e nuovi prodotti, da server e PC a smartphone e ad innovativi prodotti consumer.

I transistor nella terza dimensione

Il transistor tri-gate 3D Intel® utilizza tre gate avvolti intorno al canale di silicio in una struttura 3D, rendendo possibile una combinazione senza precedenti di prestazioni ed efficienza energetica. Intel ha progettato il nuovo transistor per offrire esclusivi vantaggi a livello di consumo energetico ultra ridotto in dispositivi palmari, come smartphone e tablet, assicurando inoltre le prestazioni più elevate normalmente previste per i processori di fascia alta.

Rendere possibile l'innovazione dei processori

I nuovi transistor sono talmente efficienti a basso voltaggio da consentire al team di progettisti del processore Intel® Atom™ di adottare nuovi approcci innovativi per la microarchitettura Intel® Atom™ a 22 nm. In particolare, la nuova architettura massimizza i vantaggi della tecnologia dei transistor tri-gate 3D dal consumo energetico estremamente contenuto. Inoltre, i futuri prodotti Intel SoC basati sui transistor tri-gate 3D a 22 nm raggiungeranno un consumo energetico iin fase di inattività inferiore a 1 mW, un valore incredibilmente basso.

Intel continua ad essere leader del settore, gli utenti continuano a trarne vantaggio

Introdotti alla fine del 2011, i processori Intel® Core™ di terza generazione sono stati i primi chip prodotti in grandi volumi ad impiegare transistor 3D.

Mentre Intel conferma la propria leadership nei prodotti per server, PC, notebook e dispositivi portatili con la tecnologia dei transistor 3D a 22 nm, consumatori e aziende potranno aspettarsi computer e grafica più veloci, oltre a una durata prolungata della batteria in un'ampia varietà di accattivanti fattori di forma.

 

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